VM40HB120D

ParameterValue
VDS (V)1200
RDS(ON) (mΩ)40
Eoff (uJ)9
Coss (pf)120
ID,pulse(A)180
ID (A)50

1200V GaN 半桥功率集成模组 VM40HB120D

描述

基于GaN技术的智能半桥功率模组。该模组集成了两颗GaN 晶体管、驱动及温度、电流传感器于一个封装内部。 内部应用了专利的VisiC创新技术。其中使用了高功率密度平面工艺的功率GaN晶体管,具有快速的开关性能及低内阻的特性。特别适用于高频、高效、集成以及高功率密度。

主要特性

  • 最低的开关损耗
  • 内置缓冲器
  • 内置NTC
  • 内置电流传感器
  • 隔离基板 (2.5KV) 与标准的爬电距离和绝缘间隙
  • 铜基板
  • 零恢复时间,GaN反向导通能力
  • 在高EMI环境下稳定可靠运行
  • 基于氮化铝陶瓷的绝缘导热材料有着非常低的热阻
  • 可以使用标准MOSFET驱动器兼容驱动(例如SI8228CB-D)

应用领域

  • 三相PFC
  • 交直流电源转换器
  • 马达驱动类应用
  • 电池充电器
  • 不间断电源,太阳能逆变器
  • 工业开关电源

Events

advertisement advertisement